ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Modulu IGCT Inverter Board
Descrizzione
| Fabricazione | ABB |
| Mudellu | 5SHY4045L0001 |
| infurmazione di ordine | 3BHB018162 |
| Catalogu | Ricambi VFD |
| Descrizzione | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Modulu IGCT Inverter Board |
| Origine | Stati Uniti (US) |
| Codice HS | 85389091 |
| Dimensione | 16 cm * 16 cm * 12 cm |
| Pesu | 0,8 kg |
Dettagli
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 hè un pruduttu integratu di tiristori cunmutati da a porta (IGCT) di ABB, chì appartene à a serie 5SHY.
IGCT hè un novu tipu di dispusitivu elettronicu apparsu à a fini di l'anni 1990.
Unisce i vantaghji di IGBT (transistor bipolari di porta insulata) è GTO (tiristori di disattivazione di porta), è hà e caratteristiche di una velocità di commutazione rapida, una grande capacità è una grande forza di guida necessaria.
In particulare, a capacità di 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 hè equivalente à quella di GTO, ma a so velocità di cunversione hè 10 volte più veloce di quella di GTO, chì significa chì pò compie l'azzione di cambiamentu in un tempu più brevi è cusì migliurà l'efficienza di cunversione di energia.
Inoltre, cumparatu cù GTO, IGCT pò salvà u circuitu di snubber enormi è cumplicatu, chì aiuta à simplificà u disignu di u sistema è riduce i costi.
Tuttavia, deve esse nutatu chì ancu s'ellu IGCT hà assai vantaghji, a putenza di guida necessaria hè sempre grande.
Questu pò aumentà u cunsumu d'energia è a cumplessità di u sistema. Inoltre, ancu s'ellu IGCT prova di rimpiazzà GTO in applicazioni d'alta putenza, hè sempre affruntatu feroce cumpetizione da altri novi dispositi (cum'è IGBT)
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistori commutati di porta integrata | GCT (transistori commutati di porta integrata) hè un novu dispositivu semiconductor di putenza utilizatu in l'equipaggiu elettronicu di putenza giganti chì hè sorti in u 1996.
IGCT hè un novu dispositivu di commutazione di semiconductor d'alta putenza basatu annantu à a struttura GTO, utilizendu una struttura di porta integrata per u discu duru di a porta, utilizendu una struttura di strata media di buffer è una tecnulugia di emettitore trasparente di anodu, cù e caratteristiche di u statu di u tiristore è e caratteristiche di commutazione di u transistor.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 usa una struttura di buffer è tecnulugia di emettitore superficiale, chì riduce a perdita dinamica di circa 50%.
Inoltre, stu tipu d'attrezzatura integra ancu un diodu freewheeling cù boni caratteristiche dinamiche nantu à un chip, è poi rializeghja a cumminazione organica di a caduta di tensione bassa in u statu, alta tensione di bloccu è e caratteristiche di commutazione stabile di u tiristori in un modu unicu.
