Modulu IGCT di a scheda inverter ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162
Descrizzione
Fabbricazione | ABB |
Modellu | 5SHY4045L0001 |
Infurmazioni di cumanda | 3BHB018162 |
Catalogu | Ricambi VFD |
Descrizzione | Modulu IGCT di a scheda inverter ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 |
Origine | Stati Uniti (US) |
Codice HS | 85389091 |
Dimensione | 16cm * 16cm * 12cm |
Pesu | 0,8 kg |
Dettagli
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 hè un pruduttu di tiristori integrati à commutazione di porta (IGCT) di ABB, chì appartene à a serie 5SHY.
IGCT hè un novu tipu di dispusitivu elettronicu chì hè apparsu à a fine di l'anni 1990.
Combina i vantaghji di IGBT (transistor bipolare di porta isolata) è GTO (tiristore di spegnimento di porta), è hà e caratteristiche di velocità di commutazione rapida, grande capacità è grande putenza di guida necessaria.
Specificamente, a capacità di 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 hè equivalente à quella di GTO, ma a so velocità di cummutazione hè 10 volte più rapida di quella di GTO, ciò chì significa chì pò compie l'azione di cummutazione in un tempu più cortu è cusì migliurà l'efficienza di cunversione di putenza.
Inoltre, paragunatu à GTO, IGCT pò risparmià u circuitu snubber enormu è cumplicatu, ciò chì aiuta à simplificà a cuncepzione di u sistema è à riduce i costi.
Tuttavia, si deve nutà chì, ancu s'è l'IGCT hà parechji vantaghji, a putenza motrice necessaria hè sempre grande.
Questu pò aumentà u cunsumu energeticu è a cumplessità di u sistema. Inoltre, ancu s'è IGCT prova à rimpiazzà GTO in applicazioni di alta putenza, hè sempre di fronte à una forte cumpetizione da altri novi dispositivi (cum'è IGBT).
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistor à commutazione di porta integrata | GCT (Integrated Gate commutated transistors) hè un novu dispositivu à semiconduttore di putenza utilizatu in l'apparecchi elettronichi di putenza giganti chì sò surtiti in u 1996.
IGCT hè un novu dispusitivu di cummutazione à semiconduttore d'alta putenza basatu annantu à a struttura GTO, utilizendu una struttura di porta integrata per u discu duru di a porta, utilizendu una struttura di u stratu mediu di buffer è a tecnulugia di emettitore trasparente à anodu, cù e caratteristiche di statu di u tiristore è e caratteristiche di cummutazione di u transistor.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 usa una struttura buffer è una tecnulugia di emettitore superficiale, chì riduce a perdita dinamica di circa u 50%.
Inoltre, questu tipu d'equipaggiu integra ancu un diodu à rota libera cù bone caratteristiche dinamiche nantu à un chip, è dopu realizza a cumbinazione organica di a bassa caduta di tensione in statu di accensione, l'alta tensione di bloccu è e caratteristiche di commutazione stabili di u tiristore in un modu unicu.